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Codes et normes - Achat

IEC 60747-4:2007

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
  • Bilingue
  • Publié en: 2007
  • Publié par IEC
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IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
  • Bilingue
  • Publié en: 2017
  • Publié par IEC
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IEC 60747-4:2007/AMD1:2017

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
  • Bilingue
  • Publié en: 2017
  • Publié par IEC
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IEC 60747-7:2010

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
  • Bilingue
  • Publié en: 2010
  • Publié par IEC
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IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
  • Bilingue
  • Publié en: 2019
  • Publié par IEC
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IEC 60747-7:2010/AMD1:2019

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
  • Bilingue
  • Publié en: 2019
  • Publié par IEC
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IEC 60747-8:2010

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ
  • Bilingue
  • Publié en: 2010
  • Publié par IEC
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IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
  • Anglais
  • Publié en: 2021
  • Publié par IEC
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IEC 60747-8:2010/AMD1:2021

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
  • Anglais
  • Publié en: 2021
  • Publié par IEC
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IEC 60747-9:2019

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
  • Bilingue
  • Publié en: 2019
  • Publié par IEC
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IEC 62373-1:2020

Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) - Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET
  • Bilingue
  • Publié en: 2020
  • Publié par IEC
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IEC 62373:2006

Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET)
  • Bilingue
  • Publié en: 2006
  • Publié par IEC
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IEC 62416:2010

Dispositifs à semiconducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS
  • Bilingue
  • Publié en: 2010
  • Publié par IEC
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IEC 62417:2010

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs)
  • Bilingue
  • Publié en: 2010
  • Publié par IEC
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IEC 62899-503-1:2020

Printed electronics - Part 503-1: Quality assessment - Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
  • Anglais
  • Publié en: 2020
  • Publié par IEC
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IEC 63275-1:2022

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour la mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température
  • Bilingue
  • Publié en: 2022
  • Publié par IEC
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IEC 63284:2022

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité par la commutation sur charge inductive pour les transistors au nitrure de gallium
  • Bilingue
  • Publié en: 2022
  • Publié par IEC