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IEC 60747-9:2019
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
SKU: iec_032214_106895
Publié par IEC
Année de publication 2019
3.0 Edition
160 pages
détails du produit
L’IEC 60747-9:2019 ED3 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs assignées et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs assignées ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors).
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l’édition précédente:
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l’édition précédente:
- ajout de transistor bipolaire à grille isolée bloqué en inverse et du contenu technique associé;
- ajout de transistor bipolaire à grille isolée passant en inverse et du contenu technique associé;
- modification, combinaison ou suppression de certaines parties de l’édition précédente.