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ISO 5618-2:2024
Céramiques techniques — Méthode d’essai pour les défauts de surface des cristaux de GaN — Partie 2: Méthode de détermination de la densité des piqûres
SKU: iso_083694_187732
Publié par ISO
Année de publication 2024
1 Edition
26 pages
détails du produit
Le présent document décrit une méthode de détermination de la densité des piqûres qui est utilisée pour détecter les dislocations et les défauts induits par le process et qui sont rencontrés sur les substrats de GaN monocristallin ou les films de GaN monocristallin.
Il est applicable aux défauts spécifiés dans l’ISO 5618-1 parmi les défauts émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants: substrat de GaN monocristallin, film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin ou film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin de Al2O3, SiC ou Si.
Il est applicable aux défauts dont la densité des piqûres est = 7 × 107 cm-2.
Il est applicable aux défauts spécifiés dans l’ISO 5618-1 parmi les défauts émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants: substrat de GaN monocristallin, film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin ou film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin de Al2O3, SiC ou Si.
Il est applicable aux défauts dont la densité des piqûres est = 7 × 107 cm-2.
