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IEC 63275-1:2022
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour la mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température
SKU: iec_065092_111937
Publié par IEC
Année de publication 2022
1.0 Edition
25 pages
détails du produit
L’IEC 63275-1:2022 donne une méthode d’essai pour évaluer le décalage de la tension de seuil de grille des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) de puissance en carbure de silicium (SiC) en utilisant un relevé à température ambiante après avoir appliqué une contrainte de tension grille-source positive continue à température élevée. La méthode proposée accepte une certaine quantité de recouvrement en autorisant des décalages importants entre la contrainte et la mesure (jusqu’à 10 h).