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IEC 60749-26:2018
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)
SKU: iec_059494_103684
Publié par IEC
Année de publication 2018
4.0 Edition
106 pages
détails du produit
L'IEC 60749-26:2018 établit une procédure pour les essais, l'évaluation et la classification des composants et des microcircuits en fonction de leur susceptibilité (sensibilité) aux dommages ou de leur dégradation à la suite de leur exposition à des décharges électrostatiques (DES) sur un modèle de corps humain (HBM) défini.
Le but du présent document est de déterminer une méthode d'essai permettant de reproduire les défaillances du HBM et de fournir des résultats d'essais de DES de HBM fiables et reproductibles d'un appareil d'essai à un autre, sans tenir compte du type de composant. Des données reproductibles autoriseront des classifications et des comparaisons précises des niveaux de sensibilité de DES de HBM.
Les essais de DES des dispositifs à semiconducteurs sont choisis entre la présente méthode d'essai, celle du modèle de machine (MM) (voir IEC 60749-27) ou toute autre méthode d'essai de la série IEC 60749. Sauf indication contraire, la présente méthode d'essai est celle qui prévaut.
Cette quatrième édition annule et remplace la troisième édition parue en 2013. Cette édition constitue une révision technique. La présente norme se base sur l'ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014. Elle est utilisée avec l'autorisation des détenteurs des droits d'auteur, ESD Association et JEDEC Solid state Technology Association.
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
a) un nouveau paragraphe sur la contrainte de HBM avec un simulateur à faibles parasites est ajouté, ainsi qu'un essai visant à déterminer si un simulateur de HBM est un simulateur à faibles parasites;
b) un nouvel article est ajouté pour les broches clonées n'assurant pas l'alimentation et une nouvelle annexe est ajoutée pour les essais des broches clonées n'assurant pas l'alimentation.
Le but du présent document est de déterminer une méthode d'essai permettant de reproduire les défaillances du HBM et de fournir des résultats d'essais de DES de HBM fiables et reproductibles d'un appareil d'essai à un autre, sans tenir compte du type de composant. Des données reproductibles autoriseront des classifications et des comparaisons précises des niveaux de sensibilité de DES de HBM.
Les essais de DES des dispositifs à semiconducteurs sont choisis entre la présente méthode d'essai, celle du modèle de machine (MM) (voir IEC 60749-27) ou toute autre méthode d'essai de la série IEC 60749. Sauf indication contraire, la présente méthode d'essai est celle qui prévaut.
Cette quatrième édition annule et remplace la troisième édition parue en 2013. Cette édition constitue une révision technique. La présente norme se base sur l'ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014. Elle est utilisée avec l'autorisation des détenteurs des droits d'auteur, ESD Association et JEDEC Solid state Technology Association.
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
a) un nouveau paragraphe sur la contrainte de HBM avec un simulateur à faibles parasites est ajouté, ainsi qu'un essai visant à déterminer si un simulateur de HBM est un simulateur à faibles parasites;
b) un nouvel article est ajouté pour les broches clonées n'assurant pas l'alimentation et une nouvelle annexe est ajoutée pour les essais des broches clonées n'assurant pas l'alimentation.