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IEC 62047-25:2016
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 25: Technologie de fabrication de MEMS à base de silicium - Méthode de mesure de la résistance à la traction-compression et au cisaillement d'une micro zone de brasure
SKU: iec_025739_053024
Publié par IEC
Année de publication 2016
1.0 Edition
45 pages
détails du produit
L'IEC 62047-25:2016 spécifie la méthode d'essai in situ pour mesurer la résistance de brasure d'une microzone de brasure fabriquée par des technologies de micro-usinage utilisées dans un système microélectromécanique (MEMS) à base de silicium. Le présent document s'applique à la mesure in situ de la résistance à la traction-compression et de la résistance au cisaillement d'une microzone de brasure fabriquée par un processus microélectronique et d'autres technologies de micro-usinage.