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IEC 62417:2010
Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs)
SKU: iec_006992_043932
Publié par IEC
Année de publication 2010
1.0 Edition
16 pages
détails du produit
La CEI 62417:2010 fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Elle s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.